2023年精测电子研究报告 打造平台型的检测设备业务-环球今日讯
精测电子：立足平板检测，打造增长双引擎
打造平台型的检测设备业务。武汉精测电子技术股份有限公司成立于 2006 年，公司成 立以来专注于基于电讯技术的信号检测，成功研发了多项平板显示检测系统，在 Module 制程检测系统的产品技术已处于行业领先水平。此外，公司通过技术收购与自主研发相 结合，积极布局 AOI 光学检测系统和平板显示自动化设备，在 Array 制程和 Cell 制程 的检测形成自有技术。公司成为行业内少数在基于机器视觉的光学检测、自动化控制， 和基于电讯技术的信号检测等方面均具有较高技术水平的企业，并拥有多项专利、软件 著作权和软件产品登记证书，形成了“光、机、电、算、软”技术一体化的优势。 依托在显示测试领域的积累优势，公司近几年逐步布局半导体、新能源行业测试技术及 产品，先后投资设立了上海精测、武汉精能等子公司，其中在半导体检测领域，公司已 基本形成在半导体检测前道、后道全领域的布局，主力产品已得到诸多一线客户认可； 在新能源设备领域，公司将进一步扩大中后段主要产品布局和提升智能装备的生产能力。
平板显示检测业务覆盖三大制程检测系统，半导体检测设备打破国外垄断，新能源设备 初步覆盖锂电池中后工艺段。公司目前在显示领域的主营产品以 LCD 和 OLED 显示器 件检测设备为主，正积极布局拓展 Mini/Micro-LED 检测设备，具体产品类型包括信号检 测系统、OLED 调测系统、AOI 光学检测系统和平板显示自动化设备等，客户已覆盖下 游主要的面板、模组厂商，包括京东方、华星光电、惠科股份、天马微、Apple 和友达 光电等；半导体领域的主营产品分为前道和后道测试设备，包括膜厚量测系统、光学关 键尺寸量测系统、电子束缺陷检测系统和自动检测设备（ATE）等，其中膜厚/OCD 量 测设备、电子束量测设备基本填补了国内空白，产品已进入广州粤芯、长江存储、SMIC 等半导体厂商；在新能源领域的主要产品为锂电池生产及检测设备，主要用于锂电池电 芯装配和检测环节等，包括锂电池化成分容系统、切叠一体机和 BMS 检测系统等。
彭骞为公司控股股东、实际控制人，自上市以来，公司的控股股东及实际控制人未发生 变动，股权结构稳定。公司的主要子公司包括苏州精濑、武汉精立、上海精测、北京精 测、常州精测等，分别在平板显示检测、半导体、新能源等不同领域进行业务布局。
(相关资料图)
研发能力突出，新能源与半导体业务接力增长
公司近年来收入整体保持增长的趋势，2022 年达到 27.31 亿元，同比增长 13.35%。 2020 年以来半导体检测设备和新能源设备业务收入占比逐年提升，2022 年分别达到 6.7%和 12.6%。公司面板检测业务一定程度上受下游面板厂扩产节奏的影响，另一方面 也在布局更丰富的产品类型，向中前道制程和先进显示领域拓展。半导体检测设备受晶 圆厂扩产和国产化需求提升的拉动，新能源设备业务受益于行业高增长，未来几年有望 保持高增长趋势。2022 年公司综合毛利率达到 44.39%，同比增加 1.06pct。
研发投入持续高增。今年来公司研发费用以及研发人员数量持续增长，2022 年公司研 发费用率达到 21.0%，研发人员数量达到 1,655 人。研发费用的高增对公司利润端造成 了一定程度的影响，但也取得了丰硕的成果，截至 2022 年公司及其子公司共持有 1,888 项专利，其中 739 项发明专利、809 项实用新型专利、340 项外观设计专利。
股权激励激发成长活力，再融资加码新老业务
公司 2022 年限制性股票激励计划拟授予的限制性股票数量约 575 万股，约占激励计划 公告日时公司股本总额的 2.07%；授予人数总共约 326 人，其中包含了 5 名董事、高级 管理人员以及 321 名核心管理人员、核心技术（业务）人员。激励计划的考核年度为 2022-2023 年两个会计年度，每个会计年度考核一次，业绩层面的要求为：1）第一个 归属期，以 2021 年净利润为基数，2022 年净利润增长率不低于 40%；2）以 2021 年 净利润为基数，2023 年净利润增长率不低于 80%。
公司近年来为扩大产能和提升新老业务竞争力，先后于 2021 年和 2023 年两次进行再 融资。2021 年公司通过定向增发的形式募集资金总额约 14.94 亿元，主要募投项目包 括上海精测半导体技术有限公司研发及产业化建设项目和 Micro-LED 显示全制程检测 设备的研发及产业化项目；2023 年公司通过发行可转债的方式募集资金总额约 12.76 亿元，新业务募投项目包括高端显示用电子检测系统研发及产业化项目和精测新能源智 能装备生产项目。两次募资分别提升了公司在新型显示检测领域的产能和竞争力，以及 半导体和新能源设备等新业务的研发制造能力。
面板检测业务：行业增速放缓，完善产品布局
LCD 和 OLED 的面板生产过程中，主要包括阵列制程（前段）、成盒制程（中段）和模 组制程（后段）三大制程。面板的前中后三大制程是将整块玻璃基板制作成小的显示屏 成品的过程，在每个制程结束后都需要用检测设备对相应工段产品做检查。阵列制程的 检测方法主要是通过光学原理对玻璃基板做外观性检测，检测设备主要是 AOI 设备；成 盒制程的检测方法除了需要做外观性检测，也需要通过电信号对切割后的面板的微观缺 陷做检测，主要检测设备为 AOI 设备和信号检查设备；模组制程检测方法主要是通过电 信号点亮LCD和OLED模组和面板成品，并通过人工结合机器视觉系统判断面板质量， 检测设备包括各种规格的信号检测设备、老化检测设备、AOI 设备等。在面板产线建设 中，对设备的投资占总投资的比重约 60-70%，其中检测设备投资占设备总投资的比重 约 20%，前、中、后段分别占检测设备投资比重约 70%、25%和 5%。
Cell/Module 制程检测设备国产化率逐步提高，Array 制程检测设备实现突破。目前国 内以精测电子、华兴源创等为代表的厂商在 Cell/Module 制程检测方面已发展的较为成 熟，下游认可度较高，但 Array 制程的检测系统市场仍然由国外和台湾地区的供应商占 据主要份额。随着国内平板显示检测技术研发实力提升，相关产品竞争力增强，已逐渐 涉足 Array 制程相关检测设备领域。从 AMOLED 检测设备来看，2021 年中国大陆 AMOLED 行业 Array 制程检测设备厂商销售额前三位分别为 HB Technology、Yang Electronic 和 DIT，国产化率约 8%；2021 年中国大陆 AMOLED 行业 Cell/Module 制程 检测设备厂商的销售额前三位分别为华兴源创、精测电子和精智达，国产化率已达 86%。
下游需求疲软拖累行业增速，设备资本开支或受影响
智能终端产品消费疲软，面板采购需求同步下行。从面板主要的下游品类销量来看，2022 年智能手机、PC、TV、平板电脑的销量分别同比下滑 11.0%、16.2%、5.6%、3.6%， 终端产品的需求较为疲软，从而也进一步影响到上游供给端的景气度。预计 2022 年全 球整体面板出货面积同比下降 7%，出货量同比下降超过 8%，叠加面板价格大幅下降 的影响，预计 2022 年全球面板企业产值同比下滑 23%。
2022 年全球 17 家主要面板设备供应商显示设备收入同比下滑约 22%。需求端低迷导 致面板厂推迟资本开支计划，2022 年全球显示设备支出总额为 120 亿美元，2023 年预 计同比下滑 68%至 38 亿美元，是 2012 年以来的最低水平，市场有望在 2024 年复苏。
中、前道制程以及高端领域扩展，紧跟技术升级趋势
随着产品线的丰富，公司面板检测业务近年来整体上保持着小幅增长的趋势，其中信号 检测系统、AOI 光学检测系统、OLED 调测系统收入占比相对较高，2022Q1-Q3 由于 苏州、上海疫情影响导致 AOI 光学检测系统和 OLED 调测系统收入有所下滑。近年来， 公司加大了面板中、前道制程设备、关键核心器件以及 Micro-LED、Mini-LED 等新型显 示产品研究开发力度。在新型显示领域，公司 Micro LED/OLED 微显示器模组 AOI 检 测设备已实现出货；在前道制程设备，公司自主研发的 Array AOI 设备可用于 TFT 和 TPOT 产品的自动缺陷检测。与同行业公司相比，公司面板检测业务毛利率处于中上水 平。此外，公司已开始逐步涉足海外市场，2022Q1-Q3 海外营收占比提升至 6.53%。
半导体检测业务：国产空间广阔，关键产品突破
晶圆厂扩产和先进制程发展推动检测设备市场规模提升。半导体检测大体可以分为前道 晶圆制造的过程工艺质量检测和后道封测环节的电学测试环节。晶圆质量检测指在晶圆 制造阶段对特定测试结构进行测量，可以反映晶圆制造阶段的工艺波动以及侦测产线的 异常，也对晶圆的微观结构进行检测，如几何尺寸、表面形貌等。电学检测偏重于芯片 /器件电学参数测试，主要分为封装前晶圆检测和封装后成品测试。随着半导体制程技术 快速发展，高端集成电路对于良率提出了更高的要求，质量检测设备也向更小的工艺节 点发展，研发难度逐渐提高，价值量也随之提升。根据 VLSI Research 预测，2022 年 全球半导体过程工艺质量检测设备市场规模将超 90 亿美元。
检测/量测设备：产品种类丰富，国内厂商积极布局
过程工艺质量检测贯穿晶圆制造环节始终，从而确保每一步工艺后产品的加工参数是否 达到设计要求，并且查看晶圆表面上是否存在影响良率的。根据工艺的特点，一般可分 为检测和量测两类，检测指在晶圆表面上或电路结构中，检测其是否出现异质情况，如 颗粒污染、表面划伤、开短路、图案问题等对芯片工艺性能具有不良影响的特征性结构 缺陷；量测指对被观测的晶圆电路上的结构尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚 度、关键尺寸、套刻精度、刻蚀深度、表面形貌等物理性参数的量测。
从技术路线上来看，检测和量测包括光学检测技术、电子束检测技术和 X 光量测技术 等。光学检测技术是指基于光学原理，通过对光信号进行计算分析以获得晶圆表面的检 测结果；电子束检测技术是指通过聚焦电子束至某一探测点，逐点扫描晶圆表面产生图 像以获得检测结果。光与电子束的主要区别在于波长的长短，电子束的波长远短于光的 波长，而波长越短，精度越高。在相同条件下，光学技术的检测速度比电子束检测技术 快，速度可以较电子束检测技术快 1,000 倍以上，此外电子束还可以穿透到三维架构的 深沟底部。因此，电子束检测技术的相对低速度导致其应用场景主要在对吞吐量要求较 低的环节，如纳米量级尺度缺陷的复查，部分关键区域的表面尺度量测以及部分关键区 域的抽检等。针对先进制程芯片的生产流程，会同时使用光学检测与电子束检两种技术， 互相辅助，进而快速找到晶圆生产的缺陷并控制和改善。2020 年全球应用光学检测技 术、电子束检测技术及 X 光量测技术的设备市场份额占比分别为 75.2%、18.7%及 2.2%。
传统的光学晶圆缺陷扫描是常用的检测方法。光学检测技术可以应用于无图案和图案化 晶圆的大范围检测，对于晶圆表面的颗粒污染、划痕、图案缺陷等问题较为有效，其基 本原理是通过扫描检测入射光与缺陷散射光是否存在及其强度来判断缺陷有无及大小。 基于振幅或强度的光学检测系统一般使用明场、暗场等照明方式。明场采用同轴照明的 方式，收集晶圆表面直接反射的光信号来分析缺陷，因此光学响应较强，在使用宽带光 的情况下，可以更加灵活地捕捉特定的缺陷类型；暗场是指以光束入射目标，忽略掉其 一次直接反射的光，而只收集晶圆表面散射光线来进行分析，从而可以降低背景亮度， 提升缺陷的对比度，对于检测无图案晶圆的细微缺陷具备更高的速度。目前绝大多数厂商采用宽带明场检测系统，一般来说光源波长越小，可检测的精度越高，例如 KLA 公司 的 39xx 宽光谱晶圆缺陷检测系统可采用深紫外（SR-DUV）波段光源技术，可针对 10nm 及以下的逻辑和高级内存器件进行针对影响良率的关键缺陷的检测。 此外，图案化的晶圆也可以通过差分图像检测，即将晶圆上测试芯片的图像与相邻芯片 或无缺陷芯片的图像进行比较，从而可以在晶圆上生成缺陷图。
光学关键尺寸（OCD）计量法是通过利用光在晶圆上的衍射偏振特性来测量周期性纳米 结构的轮廓参数，是一种散射或光谱技术。晶圆纳米结构关键尺寸测量方面，目前主要 的光学测量技术是光学散射测量技术，其本质上是一种基于模型的测量技术，它通过测 量（周期性）纳米结构的散射信息（如反射率、椭偏参数），然后求解逆散。光谱椭偏仪 是一种利用光的偏振态改变信息来分析样品的光学仪器，被广泛应用于材料光学常数与 薄膜厚度的表征和测量，同时也可以被应用于芯片纳米结构关键尺寸的测量，其硬件平 台主要包括光源、起偏器、旋转补偿器、检偏器和光谱仪等，软件平台主要包括模拟模 块、优化分析模块等。OCD 属于非成像技术，测量速度相对较快，检测原理是对从样品 反射回的反射光的光谱进行分析，通过精确的电磁理论进行计算，并与模型中的数据库 进行对比，从而反演出关键尺寸的几何信息。OCD 比较适用于检测区域内周期性结构 的关键尺寸信息，比如 DRAM 沟槽晶体管，但不适合测量更为局部图案的变化。目前 KLA 的 SpectraShape 系列产品可测量 1Xnm 逻辑和高级存储 IC 器件的复杂功能。 同时，关于薄膜反射后不同波长相对另一种膜如何改变的信息非常有用，该特点使得椭 偏仪对不同薄膜的物理特性很敏感，可用于测量透明或者半透明薄膜的厚度。
掩膜版缺陷检测对提升晶圆加工良率意义重大。在半导体器件生产中，零缺陷掩膜版是 实现芯片制造高良率的关键因素之一，因为掩膜版上的缺陷或图案位置错误会被复制到 产品晶圆上面的许多芯片中。掩膜版在使用过程中时会存在许多损伤来源，例如表面擦 伤、铬层脱落、静电、灰尘及颗粒尘埃污染以及雾装缺陷等。对掩膜版的检测可以通过 直接检测以及晶圆晒版扫描等方式。KLA 基于 193nm 波长光学设计了双成像技术，首 先由系统执行高分辨率步骤照亮掩膜版上的潜在缺陷，再执行空间像检测技术（光束照 射在掩膜上发生衍射，衍射光束被投影透镜组接受后会聚焦在图像传感器上，与曝光时 晶圆所接受到的图像类似），相应的 Teron 系列产品可用于 10nm 及以下节点掩膜版的 检测。晶圆晒版扫描指的是把掩膜版图形复制到产品上，然后检查产品上的图像缺陷。 EUV 光罩与传统的光罩成像方式有着较大的区别，其复杂性也要求进行更为精细的检 测，该领域的检测系统几乎由日本的 Lasertec 公司占据全球 100%的份额。
套刻精度测量通过对晶圆表面特征图案的高分辨率成像和细微差别的分析，用于电路制 作中不同层之间图案对图案对齐的误差测量，并将数据反馈给光刻机，帮助光刻机优化 不同层之间的光刻图案对齐误差，从而避免工艺中可能出现的问题。 套刻精度测量一般是基于成像技术（IBO）和衍射测量（DBO）。IBO 是传统的套刻误差 检测方案，是常基于具有图像识别和测量的高分辨率光学显微镜等专用设备对特定设计 的套刻标识进行处理从而进行套刻误差测量的一种方法；DBO 设备测量当前层和前一 层上套叠的光栅衍射光，两层光栅衍射后的一阶衍射光的光强分布与两层光栅的相对位 置偏移存在近似正弦的变化规律，并且在一定套刻误差区间存在近似线性的关系，从而 来确定位移偏差，被广泛应用于先进节点的光刻工艺上。晶圆上专门用来测量套刻误差 的图形被称为套刻标识，这些标识在设计掩膜时已经被放在了指定的区域，通常是在刻 蚀膜层的同时在切割道区的膜层中形成套刻标记。IBO 使用的套刻标记通常有盒式套叠 型标识、套叠的线条标识和先进图像计量型标识；DBO 使用的套刻标记为周期性光栅 结构，标记分别位于硅片的参考层和当前的光刻胶层上。
电子束检测作为扫描电子显微镜（CD-SEM）的一种，可以定位和表征尺寸低至数个纳 米的微小缺陷。电子束因其波长较短而具备高分辨率的特性（EUV 光刻机的波长为 13.5nm，而 100KeV 电子束的波长只有 0.004nm），通常用于检测一些相对光学方法来 说太小的物理缺陷，但其也存在测量速度慢、成本高、设备操作复杂等缺点。从检测原 理来看，扫描电子显微镜由发射源电子枪产生电子，经过聚光镜光圈过滤掉大角度的电 子后，再经过聚光透镜和最后光圈产生的电磁效应实现聚焦，经过导向板和物镜，将电 子束聚集为一个点落在晶圆表面。不同的晶圆表面状态激发出数量不同的二次电子和背 散射电子，最后由检测器收集信号。这样通过电子束逐行地扫描晶圆表面的不同位置， 检测器收集相对应位置信号，最终形成了电子束扫描出的图像。同时，电子束还可以测 量各种微观结构的尺寸，比如线宽线距、孔径等参数。
2020 年全球半导体检测/量测设备市场规模达 76.5 亿美元。其中，半导体检测设备占比 为 62.6%，包括纳米图形晶圆缺陷检测设备（24.7%）、掩膜检测设备（11.3%）、无图 形晶圆缺陷检测设备（9.7%）等；半导体量测设备占比为 33.5%，包括关键尺寸量测 设备（10.2%）、电子束关键尺寸量测设备（8.1%）等。
海外 KLA、应用材料、日立等公司为全球半导体检测/量测设备龙头，国内厂商市场份 额相对较低。从竞争格局来看，2020 年 KLA、应用材料、日立在全球的市场份额分别为 50.8%、11.5%、8.9%，市场集中度较高。2021 年国内精测电子、中科飞测、上海 睿励等公司的半导体检测/量测业务收入规模合计尚不超过 5 亿元，市场占比较小。
内生外延，国内厂商积极布局检测/量测设备。国内头部厂商精测电子、中科飞测、上海 睿励在光学检测、膜厚测量等领域已经取得较为显著的进步，相关设备已经在下游晶圆 厂的认可与应用，但多数仍集中在成熟制程领域。此外，天准可以通过收购德国半导体 检测公司 MueTec，赛腾股份通过收购日本 Optima，分别切入半导体检测领域。长川科 技从后道环节的测试机+分选机的检测市场拓宽到前道光学性能检测环节。我们认为， 半导体检测设备具备较高的技术壁垒和认证壁垒，除了硬件设备需有较好的稳定性外， 在软件和算法层面的积累也同样重要，因此头部厂商具备较强的先发优势。
测试设备：市场格局集中，亟待国产化突破
半导体测试设备主要包括测试系统探针台和分选机三种设备。以封测为界，半导体测试 包括晶圆检测（在封测前筛选出无效芯片）和成品测试（确保芯片功能和性能指标达到 设计规范要求），无论是晶圆检测或是成品检测，要测试芯片的各项功能指标均须完成 两个步骤：一是通过探针台或分选机将芯片的引脚与测试机的功能模块连接起来，二是通过测试机对芯片施加输入信号，并检测输出信号，判断芯片功能和性能是否达到设计 要求。半导体测试属于电学参数测试，主要测试半导体器件的电路功能、电性能参数， 具体涵盖直流（电压、流）、交流参数（时间、占空比、总谐波失真、频率等）、功能测 试等。根据产品分类，半导体测试包含分立器件和集成电路两大分支。
根据 SEMI 统计，2020 年全球测试设备市场规模约 60.1 亿美元，2021 年及 2022 年全 球半导体测试设备市场规模预计将分别达到 75.8 亿美元及 80.3 亿美元，其中测试机市 场规模占比相对较高达 63.1%，其他设备分选机占 17.4%、探针台占 15.2%。从市场格 局来看，2021 年半导体测试机呈现高度集中的竞争格局，海外公司泰瑞达、爱德万、科 休共占据了全球 95%的市场份额，国内厂商华峰测控占据了全球约 3%的市场份额。
国产厂商布局积极布局，多个细分领域相继突破。通过多年的技术积累，国内企业在模 拟及数模混合集成电路和功率半导体分立器件测试系统领域进步明显，在模拟及数模混 合集成电路测试领域，以华峰测控和长川科技为主，同时也在积极布局 SoC 芯片测试 领域；在功率半导体分立器件测试领域，以联动科技和宏邦电子为主；精测电子和华兴 源创也分别从面板检测设备切入到存储芯片测试和 SoC 芯片测试系统领域。
布局前后道设备，半导体产品导入头部晶圆厂
公司主营半导体检测业务的子公司为上海精测与上海精积微，上海精测成立于 2018 年， 并于 2019 年获得大基金投资。目前公司已开发薄膜椭偏测量技术、光学关键尺寸测量 技术、高分辨率电子束检测技术等核心技术，主要产品包含膜厚量测类设备、光学关键 尺寸量测系统、电子束缺陷检测系统以及存储芯片测试设备、驱动芯片测试设备等半导 体检测前道、后道设备。公司的集成式膜厚量测设备于 2020 年 1 月开始获得国内一线 存储客户的订单，此后半导体业务逐渐形成规模化销售，电子束量测设备、明场光学缺陷检测设备、半导体硅片应力测量设备也相继取得订单。2022 年公司半导体业务实现 营收 1.83 亿元，同比增加 34.12%。截至公司年报披露日，半导体领域在手订单约 8.91 亿元，考虑到半导体设备交付时间一般在 6 个月以上，预计公司 2023 年半导体业务仍 将保持较高的收入增速。毛利率方面，随着膜厚测量设备等高毛利率的产品类别收入占 比提升，半导体检测设备销售毛利率在 2022 年达到 51.14%的较高水平。
公司目前在半导体前道检测方面成就显著，研发的膜厚/OCD 量测设备、电子束量测设 备基本填补了国内空白，产品已进入广州粤芯、长江存储、SMIC 等知名半导体厂商。 具体产品落地方面，2021 年 7 月公司国内首台 12 寸独立式光学线宽测量设备（OCD） 与国内唯一 12 寸全自动电子束晶圆缺陷复查设备（Review SEM）顺利出机，主要客户 为 SMIC；2022 年 4 月公司获得两台明场检测 BFI100 型设备订单，也是国内首个量产 型号的明场检测设备，主要用于 65nm-180nm 半导体产线制程监控。2022 年 12 月， 公司首台明场缺陷检测设备 BFI-100E 和首台高速 Driver ATE 设备 J-Metron 6101 正式 交付客户，同时公司首台 CD-SEM 设备（eMetric）也顺利发货客户，可实现高深宽比 特征量测和 overlay 测量。2023 年 1 月公司完成第 100 台半导体前道量检测设备交付。
新能源业务：市场增速可观，锂电设备订单充裕
2021 年中国锂电生产设备市场规模为 588 亿元，其中前段、中段、后段设备市场规模 占比为 44%、36%和 20%，2025 年整体市场规模有望达到 1200 亿元。其中，前段设 备中涂布机价值量占比最高；中段设备中卷绕/叠片机价值量占比最高；后段设备中化成 分容检测占比最高。从单个设备成本投入来看，涂布机占 30%左右，卷绕机占 20%左右，活化分容检测类设备占 20%左右。2021 年锂电设备国产化率综合已达 85%以上， 前段设备方面国内主要参与企业包括赢合科技、、科恒股份、璞泰来等；中段设备方面国 内主要参与的公司有先导智能、赢合科技、科瑞技术等公司；后段设备方面国内主要参 与公司有杭可科技、利元亨、先导智能等。整体来看，国内锂电设备国内技术指标已陆 续达到国际领先水平，且具备创新能力强、服务响应速度快和产品性价比较高等优势， 随着整体市场规模的扩张，产业链公司仍具备较大的发展空间。
订单充足，新能源业务放量增长。公司早在 2013 年即开始进行新能源设备相关技术以 及产品的布局，2018 年 6 月设立子公司武汉精能拓展新能源检测设备领域业务，并于 当年开发完成针对锂电池行业的电芯化成分容制程、模组检测系统和 BMS 检测系统， 2019 年之后实现规模化销售，2022 年公司新能源业务收入达到 3.43 亿元，同比增加 561.64%。现阶段公司在新能源领域的主要产品为锂电池生产及检测设备，主要用于锂电池电芯装配和检测环节等，包括锂电池化成分容系统、切叠一体机和 BMS 检测系统 等，此外电芯装配线、锂电池视觉检测系统、激光模切机等产品处于研发阶段。同时， 公司控股子公司常州精测作为基石投资者参与中创新航港股发行，有助于双方进一步在 锂电设备领域开展深度合作。目前公司新能源业务在手订单充裕，主要为化成分容产品 和切叠一体机等，随着后续产能扩张，该业务有望成为未来业绩增长重要驱动力。
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